نیترید گالیم
| Gallium nitride | |
|---|---|
| |
| |
Gallium nitride | |
| شناساگرها | |
| شماره ثبت سی‌ای‌اس | ۲۵۶۱۷-۹۷-۴ 
|
| پاب‌کم | ۱۱۷۵۵۹ |
| کم‌اسپایدر | ۱۰۵۰۵۷
|
| شمارهٔ آرتی‌ئی‌سی‌اس | LW9640000 |
| جی‌مول-تصاویر سه بعدی | Image 1 |
| |
| |
| خصوصیات | |
| فرمول مولکولی | GaN |
| جرم مولی | 83.73 g/mol |
| شکل ظاهری | yellow powder |
| چگالی | 6.15 g/cm3 |
| دمای ذوب | >۲۵۰۰ °C[۱] |
| انحلال‌پذیری در آب | Reacts. |
| نوار ممنوعه | 3.4 eV (300 K direct) |
| تحرک‌پذیری | 440 cm2/(V·s) (300 K) |
| رسانندگی گرمایی | 2.3 W/(cm·K) (300 K)[۲] |
| ضریب شکست (nD) | 2.429 |
| ساختار | |
| ساختار بلوری | ساختار ورتزیت |
| گروه فضایی | C6v4-P63mc |
| ثابت شبکه | a = 3.186 Å, c = 5.186 Å[۳] |
| Hexagonal | |
| خطرات | |
| شاخص ئی‌یو | Not listed |
| نقطه اشتعال | |
| ترکیبات مرتبط | |
| دیگر آنیون‌ها | گالیم فسفین گالیم آرسنید گالیم آنتیمونید |
| دیگر کاتیون‌ها | نیترید بور آلومینیم نیترید نیترید ایندیم |
| ترکیبات مرتبط | Aluminium gallium arsenide Indium gallium arsenide فسفید آرسنید گالیم Aluminium gallium nitride Indium gallium nitride |
| به استثنای جایی که اشاره شده‌است در غیر این صورت، داده‌ها برای مواد به وضعیت استانداردشان داده شده‌اند (در 25 °C (۷۷ °F)، ۱۰۰ kPa) | |
 (بررسی) (چیست:  / ؟)
| |
| Infobox references | |
|
| |
نیترید گالیم (به انگلیسی: Gallium nitride) با فرمول شیمیایی GaN یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۱۱۷۵۵۹ است؛ که جرم مولی آن 83.73 g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر زرد است. گالیوم نیترید (GaN) یک ترکیب دوتایی نیمه هادی گروه III-V با کافِ نواریِ مستقیم است که به منظور استفاده در دیودهای نورگسیل از سال ۱۹۹۰ به کار گرفته شده‌است. این ترکیب بسیار سخت دارای یک ساختار بلوری ورتزایت (Wurtzite) است. این ساختار دارای کاف انرژی ۳٫۴ الکترون ولت است. ویژگی‌های منحصر بفرد این ماده به آن جازه به‌کارگیری در صنعت اپتوالکترونیک[۴][۵] دستگاه‌های توان-بالا فرکانس-بالا را می‌دهد.
حساسیت این ماده به تابش یونیزه‌کننده کم بوده (همانند نیتریدهای گروه سه دیگر) که منجر به مناسب بودن این ماده برای استفاده در سلول‌های خورشیدی ماهواره‌های فضایی می‌شود. این ماده به علت داشتن پایداری بالا در برابر فضاهای تابشی می‌تواند کاربردهای دیگری در تجهیزات نظامی و فضایی داشته باشد.[۶]
ترانزیستورهای بر پایه گالیوم نیترید قابلیت مقاومت در برابر دما و ولتاژ را دارند که نسبت به ترانزیستورهای گالیوم آرسنایدی بهتر بوده. این ترانزیستورها توان ایده ال در فرکانس مایکروویو هستند. همین‌طور ویژگی‌های مناسبی در ناحیه تراهرترز THz از خود نشان می‌دهند
ویژگی‌های فیزیکی
[ویرایش]گالیوم نیترید دارای سختی بالا حدود 2GPa ۱۲± است. ماده نمیه هادی با گاف بالا با پایداری مکانیکی بالا است که دارای رسانش دمایی و ظرفیت حرارتی بالایی است. این ماده در حالت خالص خود با ترک خوردن مقاومت می‌کند و می‌توان بر رویسافایر، سیلیکون کاربید لایه نشانی شود. به خارج از میسمچ‌هایی که در ثابت شبکه دارند. با دوپکردن سیلیکون واکسیژن در گالیوم نیترید می‌توان نوع ران (n-type) این ماده را بدست آورد و همین‌طور برای نوع پی (p-type) منیزیوم را می‌توان وارد کرد. لازم بذکر است که وارد کردن ناخالصی‌هایی چون سیلیس یا منیزیوم ساختار شبکه را تغییر داده که منجر به شکسته شدن این بلور می‌شود. ترکیبات گالیوم نیتریدی دارای دیسلوکیشن بالا هستند در108 تا 1010 بر سانتی‌متر مربع.
علت رفتار گاف باندی پهن این ماده بر بارهای مخصوصی که الکترون‌های آن در ساختار باندالکترونی و باندهای شیمیایی که دارد، است.
توسعه
[ویرایش]لایه نازک گالیومنیترید را به صورت تک بلور می‌توان بر روی لایه‌های بافر در مای پایین مربوط به خودش رشد داد. این لایه‌های تک بلوری با کیفیت، منجر به رشد لایه‌های گالیوم نیترید نوع پی شد که در نهایت امکان ساخت دیودهای نورگسیل آبی و فرابنفش میسر شد. بعد از این اتفاق قطعات الکترونیکی نورگسیل آبی، لیزرهای بنفش و دیتکتورهای یو وی در اشل صنعتی به تولید رسیدند.
دیودهای نورگسیل
[ویرایش]شفافیت بالای دیودهای نورگسیل گالیوم نیتریدی بازهٔ رنگ‌های دیگر را کامل می‌کند. به طوری که امکان ساخت صفحه‌های نمایش که تمام رنگ‌ها را به ما می‌دهند را برای ما میسر کرده و همچنین دیودهای نورگسیل سفید و لیزرهای آبی. اولین دیود نورگسیل بر پایه گالیوم نیترید با روش رشد لایه نازک MOVPE بر روی سافایر انجام شد. زیرلایه‌های دیگر چون اکسید زینک با تطابقی که ثابت شبکه ای که در حدود ۲ درصد دارد با گالیون نیترید و سیلیکون کاربید مورد استفاده قرار می‌گیرند. نیمه هادی‌های نیتریدگروه سه کلا به عنوان مطمئن‌ترین نیمه هادی برای ساخت قطعات اپتیکی در ناحیه فرابنفش، مرئی و مادون قرمز هستند.
ترانزیستورها
[ویرایش]ولتاژ شکست بالا، تحرک پذیری الکترونی بالا و سرعت اشباع بالای که این ماده دارد، آن را یک کاندید قوی برای استفاده در ناحیه مایکروویو توان بالا و دما بالا کرده‌است. از جمله کاربردهای دیگری که این ماده دراد می‌توان به قطعات توان و فرکانس بالای مایکروویو رادیو فرکانس تشدیدکننده توان و کلیدهای ولتاژ بالا نام برد. ترانزیستورهای گالیوم نیتریدی در اشل صنعی هم می‌تواند جایگزین خوبی باشد برای منبع مایکروویو فرهای مایکروویوی به جای مگنترون‌های موجود در بازار.
پهنای باندی بالای این ماده اجازه می‌دهد که ترانزیستورها تولید شده در دماهای بالاتری چون ۴۰۰ درجه کارکنند بیشتر از دمای کاری مه در ترانزیستورهای سیلیکونی دارند (۱۵۰ درجه). این اتفاق به دلیل حرکت حامل‌های باری است که هر نیمه هادی دارد. اولین MESFET گالیوم نیتریدی در سال ۱۹۹۳ ساخته شد.
کاربردها
[ویرایش]دیودهای نورگسیل
[ویرایش]از لیزرهای دیودی بنفش ساخته شده بر پایه گالیوم نیترید برای خواندن دیسک‌های بلو-رِی استفاده می‌شود و همچنین با وارد کردن ناخالصی‌هایی مانند ایندیوم و آلومینیوم می‌توان از این ماده دیودهای نورگسیل با طیف نوری از قرمز تا فرابنفش ساخت.[۷]
ترانزیستورها
[ویرایش]HEMT بر پایه گالیوم نیترید از سال ۲۰۰۶ به صورت صنعتی به تولید رسیده و در سیستم بی‌سیم به دلیل بازده بالا و تاون کار در ولتاژهای بالایی که دارند و در آینده در صنعت هوایی و مخابرات کاربردهای قابل توجهی را خواهند داشت. ترانزیستورهای MOSFET و MESFET گالیوم نیتریدی برای لایه پایین که دارند در قطعات الکترونیک توان بالا در صنعت اتومبیل و ماشین‌های برقی به کار گرفته شدند و از سال ۲۰۰۸ این قطعات بر روی زیرلایه‌های سیلسکونی ساخته می‌شوند؛ و همچنین دیود شات کی ولتاژ بالا.
یکی دیگر از کاربردهای این قطعات در رادارهای آرایه ای است.
نانو
[ویرایش]نانو میله و نانو ریسمان‌های گالیوم نیتریدی به ما این موقعیت را می‌دهد که قطعات الکترونیکی در ابعاد نانو را تولید کرد.
اسپین ترونیک
[ویرایش]با وارد کردن ناخالصی‌های منگنز به گالیوم نیترید می‌توان ویژگی‌های اسپینترونیکی خوبی را از این ماده گرفت.
سنتز
[ویرایش]بلورهای گالیوم نیترید را ضرب کردن Na/Ga تحت فشار ۱۰۰ آتمسفر گاز N2 در دمای ۷۵۰ درجه بدست می‌آیند. به دلیل اینکه گالیوم با N2 زیر دمای ۱۰۰۰ درجه واکنش نشان نمی‌دهد برا یتولید پودر این ماده از گازهای دیگر استفاده می‌شو.
گالیوم نیترید را می‌توان با تزریق آمونیا در یون مذاب گالیوم در دمای ۹۰۰ تا ۹۸۰ درجه در فشار اتمسفر بدست آورد.
روشهای رشد لایه تک بلور
[ویرایش]امروزه در صنعت الکترونیک برای رشد قطعات بر پایه گالیوم نیترید از روش‌هایی چون MBE و MOCND استفاده می‌شود.
جستارهای وابسته
[ویرایش]منابع
[ویرایش]- ↑ T. Harafuji and J. Kawamura (2004). "Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal". Appl. Phys. 96 (5): 2501. doi:10.1063/1.1772878.
- ↑ Mion, Christian. "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique." Diss. North Carolina State University. Raleigh, 2005. Web, Aug 12, 2011. http://repository.lib.ncsu.edu/ir/bitstream/1840.16/5418/1/etd.pdf.
- ↑ Bougrov V. , Levinshtein M.E. , Rumyantsev S.L. , Zubrilov A. , in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E. , Rumyantsev S.L. , Shur M.S. , John Wiley & Sons, Inc. , New York, 2001, 1–30
- ↑ Di Carlo, A. (2001). "Tuning Optical Properties of GaN-Based Nanostructures by Charge Screening". Physica Status Solidi A. 183 (1): 81–85. Bibcode:2001PSSAR.183...81D. doi:10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N.
- ↑ Arakawa, Y. (2002). "Progress in GaN-based quantum dots for optoelectronics applications". IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 8 (4): 823–832. Bibcode:2002IJSTQ...8..823A. doi:10.1109/JSTQE.2002.801675.
- ↑ Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon; Smalley, Ken (March 2011). "Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress" (PDF). GOMAC Tech Conference.
- ↑ Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. (1994). "Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies". Journal of Applied Physics. 76 (3): 1363. Bibcode:1994JAP....76.1363M. doi:10.1063/1.358463.
- «IUPAC GOLD BOOK». دریافت‌شده در ۱۸ مارس ۲۰۱۲.