▲3D DRAM在當前十年內有望成形。（示意圖／資料照）
記者陳依旻／台北報導
隨著時間推移，DARM技術遷移和微縮面臨越來越多的挑戰，瑞銀投資銀行全球研究部指出，在當前10年內，3D DRAM技術有望於後期成形。
瑞銀投資銀行全球研究部指出，使用極紫外光刻（EUV）能應對一部分挑戰，但它無法解決所有難題。因此，供應商已將目光投向其他領域，雖然仍處於探索階段，但採用3D DRAM是更有希望的解決方案，這能縮小DRAM記憶元件尺寸，從而提高密度；並說明，在借助多場行業和專家電話會以及瑞銀實證所（UBS Evidence Lab）IP分析，得出以下3大結論：
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第一， 3D DRAM最早可能於2027年開始初期生產，到2028到29年開始實質性量產。
第二， 這是工藝的進化，光刻仍將是促成微縮的關鍵因素。
第三， 不同於投資者的一貫認知，它與3D NAND快閃記憶體的相似性有限。
瑞銀實證所從3D DARM相關的專利申請達到5,282項中分析3D DRAM並不遙遠。
瑞銀投資銀行全球研究部預計，朝向3D DRAM轉型可能令DRAM終端晶圓製造設備（WFE）市場增長8到10%，或整體市場增長2%。
另外，瑞銀半導體美國分析師指出，中國智慧手機2021年12月出貨量同比增長29.6%，全年同比增長16%，強勁表現主要由本土品牌拉動，因iPhone 12發佈延期導致比較基數異常高，讓本土品牌的市占率再次上升，達到88%，雖然隨著iPhone交付情況改善，市占率可能仍低於90%的長期平均水準；而5G智慧手機繼續增長，2021年全年來看，5G出貨量增長63.5%，全年滲透率約為78%，2020年約為55%，印證了中國強勁的5G需求。
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