Jump to content

Memoria volatilis statica

E Vicipaedia
Assula RAM statica e clono Nintendo Entertainment System (2K × 8 bits).
Cellulae SRAM in circuitu integrato micromoderatoris STM32F103VGT6 per microscopium electronum visae. A societatae STMicroelectronics per rationem 180 nanometrorum fabricata.
Cellulae SRAM 180 nanometrorum in micromoderatore STM32F103VGT6, per microscopium opticum visum.

Memoria volatilis statica (Anglice SRAM) est genus memoriae semiconductrorum quae ad quodque bit coacervandum circuitu oppessulante bistabili (flipflop) utitur. Haec memoria remanentiam datorum habet,[1]; sed volatilis iam est, sensu quotidiano, qui significat data ad ultimum evanesci cum memoria electricitate careat.

Proprietates

[recensere | fontem recensere]

Bona:

Mala:

Nexus interni

Notae

[recensere | fontem recensere]
  1. ↑ Sergei Skorobogatov (Iunio 2002). Low temperature data remanence in static RAM. University of Cambridge, Computer Laboratory ,

Bibliographia

[recensere | fontem recensere]
  • Schulze, Jörg. 2005. Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente. Berolini: Springer. ISBN 3540234373.
  • Tietze, Ulrich, et Christoph Schenk. 2002. Halbleiter-Schaltungstechnik. Ed. 12a. Berolini: Springer. ISBN 3540428496.
Receptum de "https://la.wikipedia.org/w/index.php?title=Memoria_volatilis_statica&oldid=3306729"