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文.張興華
南韓政局動盪影響擴大,AI伺服器標配HBM可能轉單美光,相關台廠供應鏈及貨櫃三雄可望間接受惠。
南韓總統尹錫悅12月3日深夜無預警宣布緊急戒嚴,但國會隨即於4日凌晨以190票全數通過解除戒嚴,結束為期6小時的短命戒嚴。雖然這個短命戒嚴已告結束,不過仍引發南韓國內政經及社會動盪的後續效應正持續發酵,包括政治對立、社團集合大罷工、外資連三日撤離1.085兆韓元(約合新台幣246億元)、韓元持續走貶,整體經濟成長率更被下修至1.9%。
韓廠受衝擊 美光供應鏈受惠
備受市場關注的南韓海力士(SK Hynix)與三星的高頻寬記憶體(HBM)首當其衝,其市占率分別為53%及38%,全球排名一、二位,AI伺服器在數據中心(SSD)擴大需求下,已呈現供不應求的局面,同時HBM已成為AI伺服器的標配,面對南韓突如其來的短命戒嚴,市場基於風險考量正醞釀進行轉單,而HBM世界排名第三大的記憶體大廠美光(Micron),市占率僅約9%,在這波轉單效應中,被視為可直接受惠,連帶美光的台股供應鏈,包括南亞科(2408)、華邦電(2344)、旺宏(2337)、威剛(3260),可望間接受惠。
此外,弘塑(3131)為美光HBM濕製程設備主要夥伴,還有台勝科(3532)的矽晶圓供應、創意(3443)的IP設計,以及漢唐(2404)的無塵室設備供應等,在這波韓流轉單效應中也都可以沾光。
根據國內券商法人研究機構主管表示,輝達(NVDA)執行長黃仁勳曾公開指出,「買愈多就省愈多」,所指的就是HBM,而HBM就是將DRAM堆疊而成,DRAM的性能愈好、功耗愈低,愈能符合大型資料運算中心的需求,HBM的堆疊技術應用,也由8層堆疊進階至目前的HBM3E 12層,或HBM4E的16層。
以當前海力士的HBM產品為例,在DRAM堆疊12層的每腳位傳輸速率,先需透過TSV(矽穿孔)的先進精密技術來達成,且孔洞間距離必須要小還要精準。因此,未來DRAM廠的發展關鍵,關乎HBM的良率有多高。
該名主管指出,一般外界對HBM的製程,僅看到DRAM的堆疊與TSV技術的運用,但技術含量高及廣的HBM產品應用,最終還是要與GPU結合,這部分就需要透過先進封裝的技術如CoWoS,將8層或12層DRAM堆疊的HBM3E再與GPU封裝成一塊模組。因此,HBM最終還是要與先進封裝結合一起。
就美光的HBM產品製程而言,台股的供應鏈角色,南亞科與華邦電都是記憶體晶粒的供應商,旺宏是快閃記憶體供應商,威剛則是記憶體模組通路商。
台積電CoWoS扮演最重要關鍵
最終的封裝部分,以美光與台積電(2330)之間的緊密合作關係,在美光HBM先行封裝完成後,最終與GPU封合時,一定還是要透過台積電的CoWoS進行整合,所以在韓國三星與海力士HBM後續的轉單效應下,不會沒有台積電的角色,且台積電的CoWoS將扮演最重要的關鍵。
※精彩全文,詳見《理財周刊》1268期,2024.12.13出刊。
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