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汎銓科技為了同步滿足「埃米世代製程材料分析」「矽光子光衰漏光斷光分析」「美國AI客戶專區」三大主軸業務需求，今（26）日舉行高階SAC-TEM Center廠房興建工程開工動土典禮，此廠房採用單樓層獨立式防振基礎、三層鋼骨耐震結構設計構造，預計明（2025）年可搬遷進駐高階設備投入營運，以因應未來10年「埃米～次埃米」世代製程材料分析需求。
汎銓原本在台元科技園區內各廠區，將持續擴充設備建置「矽光子光衰、漏光、斷光」測試分析專區 ，另外也能挪出大廠區以滿足AI客戶擴大分析需求。
汎銓扎根材料分析技術，提前布局參與客戶High-NA EUV 專用的 MOR（金屬氧化光阻）開發，美國今年2月底的SPIE會議中 High-NA （高數值孔徑）極紫外光（EUV）光阻的最新研發進展資料展現的就是汎銓提供的高解析TEM照片資料，在埃米世代製程占據重要協力者地位。
多年前半導體大廠投入矽光子研發初期，汎銓就依據此半導體大廠客戶需求，發展矽光偵測定位、漏光點矽光衰減量測、矽光斷路偵測等矽光量測方案及失效分析技術，9月初成為矽光子產業聯盟創始會員，直接協助提供矽光子產業聯盟成員檢測分析，助力矽光子產業鏈發展。
隨著半導體先進製程將進入埃米世代，製程中微小的蝕刻、新材料複雜度提升，須仰賴汎銓精準的材料分析技術，提供明確的結構、成分分析資料，以利客戶製程技術研發判斷，再加上AI人工智慧浪潮掀起海量資料高運算能力需求，矽光子及共同封裝光學元件（CPO）成為突破摩爾定律瓶頸之關鍵，由於汎銓在矽光子、AI晶片分析技術超前部署，更是成為美系AI晶片大廠在台檢測分析夥伴，取得長期穩定AI IC驗證分析服務合作案，並於汎銓旗下營運據點設立在台唯一分析專區。
汎銓董事長柳紀綸表示，汎銓從現在開始往後10年，必將在埃米世代+矽光子+AI產品三大領域的測試分析驗證業務快速成長，每年新投入資本支出控制在新台幣5億元，衝高業績控制成本創造獲利。
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